IXA20IF1200HB IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3
Collector current: 22A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXA20IF1200HB IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3, Collector current: 22A, Case: TO247-3, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Power dissipation: 165W, Kind of package: tube, Gate charge: 47nC, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Turn-on time: 110ns, Turn-off time: 350ns, Type of transistor: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXA20IF1200HB | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1200V 38A 165W TO247 |
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IXA20IF1200HB | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Copack |
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IXA20IF1200HB | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3 Collector current: 22A Case: TO247-3 Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Power dissipation: 165W Kind of package: tube Gate charge: 47nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT |
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