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Technische Details IXA37IF1200HJ IXYS
Description: IGBT 1200V 58A 195W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Switching Energy: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off), Test Condition: 600V, 35A, 27Ohm, 15V, Gate Charge: 106 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 195 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IXA37IF1200HJ | Hersteller : IXYS |
 IXA37IF1200HJ THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 58A 195000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXA37IF1200HJ | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1200V 58A 195W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Switching Energy: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off) Test Condition: 600V, 35A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 106 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 58 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 195 W |
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