IXBF42N300 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 73.95 EUR |
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Technische Details IXBF42N300 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Mounting: THT, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Collector-emitter voltage: 3kV, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 200nC, Technology: BiMOSFET™, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 380A, Turn-on time: 652ns, Turn-off time: 950ns, Type of transistor: IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 240W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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IXBF42N300 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 200nC Technology: BiMOSFET™ Collector current: 24A Pulsed collector current: 380A Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 240W |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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