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IXBH10N170

IXBH10N170 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.43 EUR
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Technische Details IXBH10N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 20A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns, Switching Energy: 6mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 140 W.

Weitere Produktangebote IXBH10N170 nach Preis ab 8.95 EUR bis 18.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBH10N170 IXBH10N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
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IXBH10N170 IXBH10N170 Hersteller : IXYS IXBH10N170.pdf Description: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
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Anzahl Preis
2+17.56 EUR
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IXBH10N170 IXBH10N170 Hersteller : IXYS media-3322376.pdf IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
auf Bestellung 237 Stücke:
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Anzahl Preis
1+18.04 EUR
10+16.56 EUR
30+11.35 EUR
120+10.51 EUR
510+10.30 EUR
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