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Technische Details IXBH12N300 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BIMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXBH12N300 nach Preis ab 42.67 EUR bis 54.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXBH12N300 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT 3000V 30A 160W TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 160 W |
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IXBH12N300 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BIMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: To Be Advised |
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IXBH12N300 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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IXBH12N300 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™; FRED Collector current: 12A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 160W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXBH12N300 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 62nC Technology: BiMOSFET™; FRED Collector current: 12A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 160W |
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