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IXBH12N300

IXBH12N300 IXYS


littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300-datasheet?assetguid=cccdaa0c-6cbc-4898-808c-72a3b4a08e74 Hersteller: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
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Technische Details IXBH12N300 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BIMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBH12N300 IXBH12N300 Hersteller : IXYS media-3323078.pdf IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
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IXBH12N300 IXBH12N300 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0014301198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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IXBH12N300 IXBH12N300 Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300 IXBH12N300 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1CDC51AD698BF&compId=IXBH12N300_IXBT12N300.pdf?ci_sign=3b269cdf731a85c5368096fbeac6275dcc1a9602 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH12N300 IXBH12N300 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1CDC51AD698BF&compId=IXBH12N300_IXBT12N300.pdf?ci_sign=3b269cdf731a85c5368096fbeac6275dcc1a9602 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
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