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IXBH14N300HV IXYS

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Hersteller: IXYS
Description: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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Technische Details IXBH14N300HV IXYS

Description: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A, Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH), Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 200 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXBH14N300HV IXBH14N300HV IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_14N300HV_Datasheet.PDF IGBTs TO247 3KV 14A IGBT
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IXBH14N300HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
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IXBH14N300HV Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_14N300HV_Datasheet.PDF
IXBH14N300HV
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 3KV 14A IGBT
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IXBH14N300HV media?resourcetype=datasheets&itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
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