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IXBH20N360HV

IXBH20N360HV IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_20N360HV_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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Technische Details IXBH20N360HV IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 3.6kV; 70A; 430W; TO247HV, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 3.6kV, Power dissipation: 430W, Gate charge: 110nC, Pulsed collector current: 220A, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Case: TO247HV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 70A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXBH20N360HV IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3.6kV; 70A; 430W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Power dissipation: 430W
Gate charge: 110nC
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
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IXBH20N360HV Ixys Corporation Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH20N360HV Littelfuse Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH20N360HV
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3.6kV; 70A; 430W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Power dissipation: 430W
Gate charge: 110nC
Pulsed collector current: 220A
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IXBH20N360HV
Hersteller: Ixys Corporation
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IXBH20N360HV
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