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IXBH24N170

IXBH24N170 IXYS

media-3322255.pdf Hersteller: IXYS
IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
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Technische Details IXBH24N170 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3, Turn-off time: 1285ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Technology: BiMOSFET™, Case: TO247-3, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 230A, Turn-on time: 190ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS Description: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
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IXBH24N170(Transistor )
Produktcode: 43528
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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