Produkte > IXYS > IXBH24N170
IXBH24N170

IXBH24N170 IXYS

media-3322255.pdf Hersteller: IXYS
IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXBH24N170 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3, Turn-off time: 1285ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Technology: BiMOSFET™, Case: TO247-3, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 230A, Turn-on time: 190ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote IXBH24N170 nach Preis ab 20.11 EUR bis 71.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS Description: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.53 EUR
30+21.91 EUR
120+20.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+23.45 EUR
30+23.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170(Transistor )
Produktcode: 43528
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH