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IXBH24N170

IXBH24N170 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
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Technische Details IXBH24N170 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 230A, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 190ns, Turn-off time: 1285ns, Features of semiconductor devices: high voltage, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS media-3322255.pdf IGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 60A
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXBH24N170(Transistor )
Produktcode: 43528 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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IXBH24N170 IXBH24N170 Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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