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IXBH42N170

IXBH42N170 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170-datasheet?assetguid=d2e8687d-05d2-4f90-ad6a-41a0f0332343 Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
auf Bestellung 477 Stücke:
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Technische Details IXBH42N170 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: BIMOSFET, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBH42N170 IXBH42N170 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_42N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 75A
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IXBH42N170 IXBH42N170 Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH42N170 IXBH42N170 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBH42N170 IXBH42N170
Produktcode: 40513
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IXBH42N170 IXBH42N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1C570134958BF&compId=IXBH42N170_IXBT42N170.pdf?ci_sign=b7a57f2357e60d94d3088f969bde87ef72390bf7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
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