IXBH42N170 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
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Technische Details IXBH42N170 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: BIMOSFET, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote IXBH42N170 nach Preis ab 26.77 EUR bis 47.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IXBH42N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXBH42N170 | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 1700V 75A |
auf Bestellung 1059 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXBH42N170 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
auf Bestellung 1702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXBH42N170 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BIMOSFET Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXBH42N170 Produktcode: 40513 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBH42N170 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1700V 80A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 188 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 360 W |
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