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IXBH6N170

IXBH6N170 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixb-6n170-datasheet?assetguid=7e9abcc5-4422-4d15-b4e6-4c06221643db Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
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Technische Details IXBH6N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 17 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A, Power - Max: 75 W.

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IXBH6N170 IXBH6N170 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_6N170_Datasheet.PDF IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
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Produktcode: 83906
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littelfuse-discrete-igbts-ixb-6n170-datasheet?assetguid=7e9abcc5-4422-4d15-b4e6-4c06221643db Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBH6N170 IXBH6N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1B474D794F8BF&compId=IXBH6N170_IXBT6N170.pdf?ci_sign=11ff0739ef8a82a3156ed9b2978a4d7167a1a158 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Power dissipation: 75W
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
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