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Technische Details IXBH6N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 6A, Pulsed collector current: 36A, Turn-on time: 104ns, Turn-off time: 700ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 75W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 17nC, Technology: BiMOSFET™, Mounting: THT, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXBH6N170 nach Preis ab 10.05 EUR bis 19.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 75 W |
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IXBH6N170 Produktcode: 83906
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 17nC Technology: BiMOSFET™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 17nC Technology: BiMOSFET™ Mounting: THT Case: TO247-3 |
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