IXBH6N170 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 24.13 EUR |
| 30+ | 14.87 EUR |
| 120+ | 12.84 EUR |
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Technische Details IXBH6N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 6A, Pulsed collector current: 36A, Turn-on time: 104ns, Turn-off time: 700ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 75W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 17nC, Technology: BiMOSFET™, Mounting: THT, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXBH6N170 nach Preis ab 14.01 EUR bis 24.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXBH6N170 Produktcode: 83906
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 17nC Technology: BiMOSFET™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 36A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 17nC Technology: BiMOSFET™ Mounting: THT Case: TO247-3 |
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