IXBH6N170
Produktcode: 83906
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 75 W |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 17nC Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 36A Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ |
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