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Technische Details IXBH6N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 12A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 17 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A, Power - Max: 75 W.
Weitere Produktangebote IXBH6N170 nach Preis ab 12.9 EUR bis 24.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT 1700V 12A TO-247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 75 W |
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IXBH6N170 Produktcode: 83906
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXBH6N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 17nC Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 36A Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ |
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