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Technische Details IXBK64N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 735W, Pulsed collector current: 600A, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 64A, Gate-emitter voltage: ±25V, Technology: BiMOSFET™; FRED, Case: TO264, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Gate charge: 400nC, Turn-off time: 397ns, Turn-on time: 632ns.
Weitere Produktangebote IXBK64N250 nach Preis ab 138.2 EUR bis 164.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IXBK64N250 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT 2500V 75A TO-264AAPackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A Supplier Device Package: TO-264AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V Power - Max: 735 W |
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IXBK64N250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXBK64N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 735W Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 64A Gate-emitter voltage: ±25V Technology: BiMOSFET™; FRED Case: TO264 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Gate charge: 400nC Turn-off time: 397ns Turn-on time: 632ns |
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