IXBP5N160G


littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_5n160g_datasheet.pdf.pdf
Produktcode: 194939
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBP5N160G IXBP5N160G Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_5n160g_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXBP5N160G IXBP5N160G Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_5n160g_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
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IXBP5N160G IXBP5N160G Hersteller : IXYS media-3319678.pdf IGBT Transistors 5 Amps 1600V
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IXBP5N160G IXBP5N160G Hersteller : IXYS IXBH(p)5N160G.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.6kV; 3.5A; 68W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Gate charge: 26nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 340ns
Turn-off time: 190ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.5A
Collector-emitter voltage: 1.6kV
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