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IXBT10N170

IXBT10N170 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.44 EUR
8+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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Technische Details IXBT10N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268, Case: TO268, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Gate charge: 30nC, Turn-on time: 63ns, Turn-off time: 1.8µs, Power dissipation: 140W, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 40A, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: BiMOSFET™, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBT10N170 IXBT10N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
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IXBT10N170 IXBT10N170 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268
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IXBT10N170 IXBT10N170 Hersteller : IXYS ixyss06337_1-2272239.pdf IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
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