IXBT42N170
Produktcode: 37260
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXBT42N170 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1700V 80A TO-268AA Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-268AA Gate Charge: 188 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 360 W |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXBT42N170 | Hersteller : IXYS |
IGBTs BIMOSFET 1700V 75A |
auf Bestellung 3219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXBT42N170 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BiMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXBT42N170 |
BIMOSFET IGBT 1700V, Ic25=75A, Ic90=42A, 300Вт, TO-268AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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