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Technische Details IXBT42N170 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXBT42N170
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXBT42N170 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BiMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: To Be Advised |
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IXBT42N170 Produktcode: 37260
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| IXBT42N170 | Hersteller : IXYS |
IXBT42N170 SMD IGBT transistors |
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IXBT42N170 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1700V 80A TO268AA Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-268AA Gate Charge: 188 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 360 W |
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