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Technische Details IXDF602SI Littelfuse
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 4.5V ~ 35V, Input Type: Inverting, Non-Inverting, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IXDF602SI nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXDF602SI | Hersteller : Littelfuse |
 Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC EP Tube |
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IXDF602SI | Hersteller : Ixys Corporation |
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC EP Tube |
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IXDF602SI | Hersteller : Littelfuse |
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC EP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXDF602SI | Hersteller : IXYS |
IXDF602SI MOSFET/IGBT drivers |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXDF602SI | Hersteller : IXYS Integrated Circuits Division |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 35V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXDF602SI | Hersteller : IXYS Integrated Circuits |
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET |
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