IXDH30N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDH30N120D1 - IGBT-Einzeltransistor, 60A, 2.4V, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 23.45 EUR |
| 11+ | 20.73 EUR |
| 50+ | 19.12 EUR |
| 100+ | 17.52 EUR |
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Technische Details IXDH30N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 76 A, Power - Max: 300 W.
Weitere Produktangebote IXDH30N120D1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IXDH30N120D1 |
Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IXDH30N120D1 | IXYS |
Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 76 A Power - Max: 300 W |
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXDH30N120D1 | IXYS |
IGBTs 30 Amps 1200V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXDH30N120D1 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXDH30N120D1 |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 76 A
Power - Max: 300 W
Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 76 A
Power - Max: 300 W
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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| IXDH30N120D1 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs 30 Amps 1200V
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| IXDH30N120D1 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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