IXDN602SI IXYS Integrated Circuits Division
Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 35V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 3.37 EUR |
| 25+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 300+ | 2.58 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
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Technische Details IXDN602SI IXYS Integrated Circuits Division
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 4.5V ~ 35V, Input Type: Non-Inverting, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 7.5ns, 6.5ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IXDN602SI nach Preis ab 2.56 EUR bis 4.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXDN602SI | IXYS Integrated Circuits |
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET |
auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXDN602SI |
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Hersteller: IXYS Integrated Circuits
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 3.39 EUR |
| 25+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |