Produkte > IXYS > IXDR35N60BD1
IXDR35N60BD1

IXDR35N60BD1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdr35n60bd1_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 35 Amps 600V
auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXDR35N60BD1 IXYS

Description: IGBT NPT 600V 38A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 300V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.

Weitere Produktangebote IXDR35N60BD1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXDR35N60BD1 IXDR35N60BD1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDR35N60BD1 IXDR35N60BD1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdr35n60bd1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT NPT 600V 38A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH