| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details IXFA10N60P-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Power dissipation: 200W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 0.74Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 32nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 200ns, Technology: HiPerFET™.
Weitere Produktangebote IXFA10N60P-TRL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA10N60P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IXFA10N60P-TRL | IXYS | MOSFETs 600V 10A |
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IXFA10N60P-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™ |
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| IXFA10N60P-TRL |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
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| IXFA10N60P-TRL |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 10A
MOSFETs 600V 10A
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| IXFA10N60P-TRL |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™
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