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Technische Details IXFA16N50P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 16A, Power dissipation: 300W, Case: TO263, On-state resistance: 0.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 43nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; Polar™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXFA16N50P
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFA16N50P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFA16N50P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFA16N50P | Hersteller : IXYS |
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IXFA16N50P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ |
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