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IXFA18N60X

IXFA18N60X IXYS

IXFA(H,P)18N60X.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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Technische Details IXFA18N60X IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 18A, Power dissipation: 320W, Case: TO263, On-state resistance: 0.23Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 35nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 127ns, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_18n60x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
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IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_18N60X_Datasheet.PDF MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
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