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IXFA20N85XHV-TRL

IXFA20N85XHV-TRL IXYS


Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
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Technische Details IXFA20N85XHV-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 850V; 20A; 540W; D2PAK,TO263AB; 190ns, Mounting: SMD, Power dissipation: 540W, Gate charge: 63nC, Technology: HiPerFET™, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 850V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 30V, Case: D2PAK; TO263AB, Reverse recovery time: 190ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFA20N85XHV-TRL IXFA20N85XHV-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Ultra_Juncti-1620630.pdf MOSFET IXFA20N85XHV TRL
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IXFA20N85XHV-TRL IXFA20N85XHV-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 850V; 20A; 540W; D2PAK,TO263AB; 190ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 540W
Gate charge: 63nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Case: D2PAK; TO263AB
Reverse recovery time: 190ns
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IXFA20N85XHV-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Ultra_Juncti-1620630.pdf
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 850V; 20A; 540W; D2PAK,TO263AB; 190ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 540W
Gate charge: 63nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
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Case: D2PAK; TO263AB
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