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Technische Details IXFA20N85XHV IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263, Mounting: SMD, Case: TO263, On-state resistance: 0.33Ω, Drain current: 20A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 540W, Drain-source voltage: 850V, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; X-Class, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 63nC, Reverse recovery time: 190ns.
Weitere Produktangebote IXFA20N85XHV
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Trans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
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Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO263 |
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IXFA20N85XHV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 On-state resistance: 0.33Ω Drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 540W Drain-source voltage: 850V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X-Class Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns |
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