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Technische Details IXFA20N85XHV IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 850V, Drain current: 20A, Power dissipation: 540W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.33Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 63nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 190ns, Technology: HiPerFET™; X-Class, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXFA20N85XHV
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFA20N85XHV | Hersteller : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Technology: HiPerFET™; X-Class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFA20N85XHV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
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IXFA20N85XHV | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO263 |
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IXFA20N85XHV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Technology: HiPerFET™; X-Class |
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