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Technische Details IXFA26N30X3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263, Reverse recovery time: 105ns, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 26A, On-state resistance: 66mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 170W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 22nC, Technology: HiPerFET™; X3-Class, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: TO263, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXFA26N30X3 nach Preis ab 8.25 EUR bis 8.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IXFA26N30X3 | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA |
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IXFA26N30X3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 Reverse recovery time: 105ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 26A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFA26N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFA26N30X3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 Reverse recovery time: 105ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 26A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 |
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