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Technische Details IXFA36N30P3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 36A, Power dissipation: 347W, Case: TO263, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 125ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXFA36N30P3 nach Preis ab 5.6 EUR bis 8.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFA36N30P3 | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA |
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IXFA36N30P3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 125ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFA36N30P3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 125ns |
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