IXFA3N120
Produktcode: 83348
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IXFA3N120 nach Preis ab 9.31 EUR bis 18.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFA3N120 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 3A Gate charge: 39nC Power dissipation: 200W |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IXFA3N120 | IXYS |
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IXFA3N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 3A
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 3A
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 12.79 EUR |
| 8+ | 11.44 EUR |
| 9+ | 10.6 EUR |
| 10+ | 9.38 EUR |
| 20+ | 9.31 EUR |
| IXFA3N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.85 EUR |
| 10+ | 12.35 EUR |
| 100+ | 10.81 EUR |


