IXFA3N120
Produktcode: 83348
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXFA3N120 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 3A Gate charge: 39nC Power dissipation: 200W |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA3N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA3N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA3N120 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFA3N120 |
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFA3N120 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |