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IXFA7N100P-TRL

IXFA7N100P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-7n100p-datasheet?assetguid=2a6e65f4-034a-4ea8-af00-941e933d8061
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
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Technische Details IXFA7N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 7A, Power dissipation: 300W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 47nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 300ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFA7N100P-TRL IXFA7N100P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_7N100P_Datasheet.PDF MOSFETs IXFA7N100P TRL
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IXFA7N100P-TRL IXFA7N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-7n100p-datasheet?assetguid=2a6e65f4-034a-4ea8-af00-941e933d8061 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
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MOSFETs IXFA7N100P TRL
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
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