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IXFA8N65X2

IXFA8N65X2 IXYS

IXF_8N65X2.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+2.87 EUR
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Technische Details IXFA8N65X2 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; X2-Class, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 105ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Preis ohne MwSt
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 Hersteller : IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
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