
IXFA8N65X2 IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IXFA8N65X2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; X2-Class, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 105ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFA8N65X2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
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IXFA8N65X2 | Hersteller : IXYS |
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