Produkte > IXYS > IXFB300N10P
IXFB300N10P

IXFB300N10P IXYS

DS100015AIXFB300N10P.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+72.73 EUR
25+49.21 EUR
50+46.17 EUR
100+45.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFB300N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PLUS264™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote IXFB300N10P

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB300N10P_Datasheet.PDF MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS IXFB300N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P IXFB300N10P Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb300n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB300N10P_Datasheet.PDF
IXFB300N10P
Hersteller: IXYS
MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P IXFB300N10P.pdf
IXFB300N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb300n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFB300N10P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH