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IXFB40N110P

IXFB40N110P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb40n110p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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Technische Details IXFB40N110P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFB40N110P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb40n110p_datasheet.pdf.pdf MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 Транзистори
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IXFB40N110P IXFB40N110P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_HiPerFETs_IX-1856432.pdf MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
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