Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IXFB44N100P

IXFB44N100P

littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84
Produktcode: 199488
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IXFB44N100P nach Preis ab 34.98 EUR bis 57.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+34.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84 Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.39 EUR
25+38.63 EUR
100+35.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFB44N100P_Datasheet.pdf MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.62 EUR
10+42.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P Ixys Corporation ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+57.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR 2944611.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3+34.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+57.39 EUR
25+38.63 EUR
100+35.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFB44N100P_Datasheet.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+57.62 EUR
10+42.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3+57.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P 2944611.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

Thermoelement P3408B
Produktcode: 119515
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description
Thermoelement P3408B
Hersteller: Peakmeter
Werkzeuge und Geräte > Werkzeug und Vorrichtungen: Zubehör
Typ: Temperaturfühler
Beschreibung: Thermoelement Typ "K"; Länge 1000mm, Temperaturbereich -40 bis 260 °C
auf Bestellung 12 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Produktcode: 104948
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
X7R_X5R.pdf
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 4.7uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: +/-10%K
Größentyp: 1812
auf Bestellung 327 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Flasche für Flussmittel MS-035, Packung 2 Stk.
Produktcode: 60087
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Flasche für Flussmittel MS-035, Packung 2 Stk.
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
Kategorie: Verpackung
Beschreibung: Ermöglicht die präzise Dosierung von Flussmittel durch die Nadel. 2 Stück im Lieferumfang
auf Bestellung 40 Paar:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UCC25600DR
Produktcode: 41492
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fucc25600
UCC25600DR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: 8-Pin High-Performance Resonant Mode Controller 8-SOIC -40 to 12
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+2.52 EUR
10+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Produktcode: 31676
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00
auf Bestellung 1965 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10030 St.:
10000 St. - erwartet
AnzahlPreis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.034 EUR
1000+0.031 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH