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IXFB44N100P

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+46.31 EUR
5+40.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84 Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.29 EUR
25+45.97 EUR
100+41.97 EUR
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IXFB44N100P IXFB44N100P Ixys Corporation ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFB44N100P_Datasheet.pdf MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.54 EUR
10+55.39 EUR
100+50.9 EUR
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IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR 2944611.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+96.56 EUR
5+81.07 EUR
10+65.39 EUR
50+55.93 EUR
100+54.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
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IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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IXFB44N100P
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 5 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IXFB44N100P Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFB44N100P_Datasheet.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+71.54 EUR
10+55.39 EUR
100+50.9 EUR
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IXFB44N100P 2944611.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+96.56 EUR
5+81.07 EUR
10+65.39 EUR
50+55.93 EUR
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4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Produktcode: 104948
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X7R_X5R.pdf
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 1812
auf Bestellung 227 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.55 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Drahtlot, 0,7mm, 250g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 250g
Produktcode: 104664
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cynel.pdf
Drahtlot, 0,7mm, 250g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 250g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lot mit Flussmittel
Beschreibung: Weichlot mit Flussmittel. Lot: Sn60Pb40; Draht; 0.7mm; 0.25kg; Flussmittel: F-SW26; 2.5%; Schmelzpunkt: 190 °C
Gewicht/Volumen/Menge: 250 g
Durchmesser: 0,7 мм
Legierungszusammensetzung: Sn60Pb40
Schmelzpunkt: 190°С
Lottyp: Bleihaltig
auf Bestellung 140 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 24 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+34.27 EUR
10+32.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Flussmittelflasche MS-035, Verpackung 2Stk
Produktcode: 60087
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Flussmittelflasche MS-035, Verpackung 2Stk
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
Kategorie: Behälter
Beschreibung: Ermöglicht präzises Dosieren von Flussmittel über die Nadel. 2 Stk im Set
auf Bestellung 28 Paar:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UCC25600DR
Produktcode: 41492
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fucc25600
UCC25600DR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: 8-poliger Hochleistungs-Resonanzmodus-Controller, 8-SOIC, -40 to 12
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+3 EUR
10+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31676
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ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 2340 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.079 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.046 EUR
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