Weitere Produktangebote IXFB44N100P nach Preis ab 46.15 EUR bis 51.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IXFB44N100P | Hersteller : IXYS |
 MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds |
auf Bestellung 839 Stücke: Lieferzeit 831-835 Tag (e) |
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IXFB44N100P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
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IXFB44N100P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
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IXFB44N100P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
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IXFB44N100P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFB44N100P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V |
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IXFB44N100P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
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