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IXFB80N50Q2

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Produktcode: 22118
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXFB80N50Q2 IXFB80N50Q2 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb80n50q2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
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IXFB80N50Q2 IXFB80N50Q2 Hersteller : IXYS media-3321014.pdf MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
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