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Technische Details IXFH12N120P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 543W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFH12N120P nach Preis ab 18.57 EUR bis 27.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IXFH12N120P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds |
auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 697-701 Tag (e) |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 12 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 543 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.35 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6.5 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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IXFH12N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH12N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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