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Technische Details IXFH12N120P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 543W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFH12N120P nach Preis ab 27.21 EUR bis 27.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFH12N120P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 543W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IXFH12N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH12N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
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IXFH12N120P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |