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IXFH150N17T2

DS100229IXFHT150N17T2.pdf
Produktcode: 177347
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH150N17T2 IXFH150N17T2 IXYS DS100229IXFHT150N17T2.pdf Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFH150N17T2 IXFH150N17T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_150N17T2_Datasheet.PDF MOSFETs 175V 150A
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.05 EUR
10+15.05 EUR
120+12.95 EUR
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IXFH150N17T2 IXFH150N17T2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007924121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFH150N17T2 DS100229IXFHT150N17T2.pdf
IXFH150N17T2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
auf Bestellung 17 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IXFH150N17T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_150N17T2_Datasheet.PDF
IXFH150N17T2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 175V 150A
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10+15.05 EUR
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IXFH150N17T2 LFSI-S-A0007924121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH150N17T2
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 28 Stücke:
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