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IXFH170N10P

IXFH170N10P Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXFH170N10P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
auf Bestellung 85 Stücke:
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1+25.07 EUR
30+16.09 EUR
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_170N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
auf Bestellung 365 Stücke:
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10+16.42 EUR
120+16.26 EUR
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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9+30.14 EUR
10+24.35 EUR
12+19.09 EUR
50+15.72 EUR
100+14.83 EUR
250+13.9 EUR
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 170A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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