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IXFH170N10P

IXFH170N10P Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXFH170N10P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 714W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_170N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=229B5923-0F10-4AE1-9D5E-866CB6B5379F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-170N10P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
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IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 714W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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