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IXFH20N80P

IXFH20N80P IXYS

media-3319324.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
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Technische Details IXFH20N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V.

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IXFH20N80P IXFH20N80P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
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IXFH20N80P IXFH20N80P Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH20N80P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf IXFH20N80P THT N channel transistors
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IXFH20N80P (TO-247-3)
Produktcode: 107942
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