
IXFH20N80P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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6+ | 12.78 EUR |
8+ | 9.17 EUR |
9+ | 8.67 EUR |
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Technische Details IXFH20N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFH20N80P nach Preis ab 8.67 EUR bis 17.5 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IXFH20N80P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH20N80P | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH20N80P | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH20N80P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH20N80P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH20N80P | Hersteller : Ixys Corporation |
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auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH20N80P (TO-247-3) Produktcode: 107942
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXFH20N80P | Hersteller : Littelfuse |
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