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IXFH22N50P

IXFH22N50P IXYS

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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 350W
Gate charge: 50nC
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Technische Details IXFH22N50P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 350W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IXFH22N50P IXFH22N50P Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh22n50pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH22N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 22A
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IXFH22N50P IXFH22N50P LITTELFUSE 4598143.pdf Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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