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IXFH22N50P

IXFH22N50P IXYS

IXFH22N50P.pdf
Produktcode: 214500
Hersteller: IXYS
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 270 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/50
JHGF: THT
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.86 EUR
14+5.42 EUR
30+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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30+5.02 EUR
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH22N50P-Datasheet.PDF?assetguid=1DAB3767-C3C0-4B6D-BD48-CA28F3D9768D Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh22n50pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+12.19 EUR
16+9.28 EUR
30+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh22n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
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IXFH22N50P Hersteller : Ixys Semiconductor GmbH Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH22N50P-Datasheet.PDF?assetguid=1DAB3767-C3C0-4B6D-BD48-CA28F3D9768D
auf Bestellung 10 Stücke:
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IXFH22N50P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh22n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh22n50pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH22N50P IXFH22N50P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH22N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 22A
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