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IXFH24N50

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Technische Details IXFH24N50

MOSFET, N, TO-247
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:500V
Cont Current Id:24A
On State Resistance:0.23ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-247
Termination Type:Through Hole
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Junction Temperature Tj:150`C
Max On State Resistance:0.23ohm
Max Repetitive Avalanche Energy:30mJ
Max Voltage Vds:500V
Max Voltage Vgs th:4V
Min Junction Temperature, Tj:-55`C
N-channel Gate Charge:135nC
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
Power Dissipation:300W
Power Dissipation Pd:300W
Pulse Current Idm:96A
Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns
Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
Weight:6g
Transistor Case Style:TO-247

Weitere Produktangebote IXFH24N50

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXFH24N50	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IXFH24N50	IXYS	MODULE	auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFH24N50

Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXFH24N50

Hersteller: IXYS
MODULE

auf Bestellung 94 Stücke:

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