| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.23 EUR |
| 10+ | 12.65 EUR |
| 120+ | 9.7 EUR |
| 510+ | 9.65 EUR |
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Technische Details IXFH28N60P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH28N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 28, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 695, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 695, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFH28N60P3 nach Preis ab 10.03 EUR bis 20.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXFH28N60P3 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH28N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 695W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 0.26Ω |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFH28N60P3 |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 20.11 EUR |
| 30+ | 11.85 EUR |
| 60+ | 10.86 EUR |
| 120+ | 10.03 EUR |
| IXFH28N60P3 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.26Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.26Ω
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)