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IXFH28N60P3

IXFH28N60P3 IXYS

IXFH(Q)28N60P3.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 695W
Gate charge: 50nC
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Technische Details IXFH28N60P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH28N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 28, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 695, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 695, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFx28N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
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60+10.47 EUR
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