Technische Details IXFH58N20 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 58, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFH58N20
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IXFH58N20 |
 TO-247AD Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IXFH58N20 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFH58N20 | IXYS |
MOSFETs 200V 58A |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFH58N20 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 58 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH58N20 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH58N20 |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Description: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFH58N20 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 200V 58A
MOSFETs 200V 58A
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| IXFH58N20 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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| IXFH58N20 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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