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IXFH60N50P3

IXFH60N50P3 IXYS

IXF_60N50P3.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
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Technische Details IXFH60N50P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
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IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_60n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+ 13.75 EUR
120+ 12.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : IXYS media-3321265.pdf MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+25.64 EUR
10+ 21.94 EUR
30+ 19.92 EUR
120+ 18.28 EUR
270+ 17.73 EUR
510+ 17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_60n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 8 Stücke:
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IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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