IXFH60N60X3 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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Technische Details IXFH60N60X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH60N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 60, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HiPerFET Series, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXFH60N60X3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFH60N60X3 | IXYS |
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH60N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
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IXFH60N60X3 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH60N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 625 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HiPerFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| IXFH60N60X3 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
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| IXFH60N60X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
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| IXFH60N60X3 |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH60N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: LITTELFUSE - IXFH60N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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