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IXFH6N120P

IXFH6N120P IXYS

media-3322167.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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Technische Details IXFH6N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V.

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IXFH6N120P IXFH6N120P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
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IXFH6N120P IXFH6N120P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH6N120P IXFH6N120P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH6N120P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120P THT N channel transistors
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