IXFH75N10
Hersteller:
( N-CH U=100В I= 75 A) Транзистори
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Technische Details IXFH75N10
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFH75N10 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFH75N10 | IXYS |
MOSFET 100V 75A |
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IXFH75N10 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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IXFH75N10 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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IXFH75N10 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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| IXFH75N10 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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| IXFH75N10 |
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Hersteller: IXYS
MOSFET 100V 75A
MOSFET 100V 75A
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| IXFH75N10 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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| IXFH75N10 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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| IXFH75N10 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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