| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.77 EUR |
| 10+ | 16.09 EUR |
| 30+ | 11.1 EUR |
| 120+ | 11.04 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFH96N20P IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote IXFH96N20P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH96N20P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 96A Case: TO247-3 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 600W Gate charge: 145nC |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH96N20P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH96N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 600W
Gate charge: 145nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 600W
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IXFH96N20P |
![]() |
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



