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IXFK120N20P

IXFK120N20P Ixys Corporation

media.pdf Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Technische Details IXFK120N20P Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

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IXFK120N20P IXFK120N20P Hersteller : IXYS media-3321309.pdf MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
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IXFK120N20P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf IXFK120N20P THT N channel transistors
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IXFK120N20P IXFK120N20P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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