IXFK140N25T IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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| 1+ | 24.66 EUR |
| 25+ | 15.54 EUR |
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Technische Details IXFK140N25T IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.
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IXFK140N25T Produktcode: 45121
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Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 255nC On-state resistance: 17mΩ Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 960W Drain current: 140A Case: TO264 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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