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Technische Details IXFK140N30P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFK140N30P nach Preis ab 21.99 EUR bis 36.63 EUR
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds |
auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK140N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK140N30P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 24mΩ Drain current: 140A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 185nC Case: TO264 Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFK140N30P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 24mΩ Drain current: 140A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 185nC Case: TO264 Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube |
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