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IXFK160N30T
Hersteller:
N-CH 300V 130A TO-264 Транзистори
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Technische Details IXFK160N30T
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFK160N30T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
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IXFK160N30T | IXYS |
MOSFETs 160A 300V |
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IXFK160N30T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
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IXFK160N30T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFK160N30T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFK160N30T |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
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| IXFK160N30T |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 160A 300V
MOSFETs 160A 300V
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| IXFK160N30T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
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| IXFK160N30T |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IXFK160N30T |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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