
IXFK32N90P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXFK32N90P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264, Polarisation: unipolar, Gate charge: 215nC, On-state resistance: 0.3Ω, Drain current: 32A, Power dissipation: 960W, Drain-source voltage: 900V, Case: TO264, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFK32N90P | Hersteller : IXYS |
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![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Polarisation: unipolar Gate charge: 215nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 32A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 900V Case: TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT |
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