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IXFK32N90P IXYS

Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 32A TO-264

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Technische Details IXFK32N90P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264, Polarisation: unipolar, Drain current: 32A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 900V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO264, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Power dissipation: 960W, Gate charge: 215nC.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXFK32N90P	IXYS	MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IXFK32N90P	IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Polarisation: unipolar Drain current: 32A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO264 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Power dissipation: 960W Gate charge: 215nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFK32N90P

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MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

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IXFK32N90P

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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
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Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC

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