
IXFK32N90P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXFK32N90P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 960W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 215nC, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Case: TO264, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 32A, On-state resistance: 0.3Ω, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFK32N90P | Hersteller : IXYS |
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IXFK32N90P | Hersteller : IXYS |
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IXFK32N90P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 0.3Ω |
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